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喻 志农
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1998 …
2024
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2024
Impact of Surface Treatments on High-k Zirconium Aluminum Oxide Dielectric without Annealing
Liu, B., Zhang, Y. &
Yu, Z.
,
2024
,
在:
Digest of Technical Papers - SID International Symposium.
55
,
S1
,
页码 1262-1267
6 页码
科研成果
:
期刊稿件
›
会议文章
›
同行评审
Dielectric Material
100%
Hydrogen Peroxide
100%
Zirconium
100%
Aluminum Oxide
100%
Annealing
75%
2022
The Effects of Annealing Atmosphere on Dual Gate Dielectric ITO TFTs
Zhang, G.,
Yu, Z.
, Dong, J., Li, Q., Wang, Y. & Han, D.,
2022
,
在:
Digest of Technical Papers - SID International Symposium.
53
,
S1
,
页码 600-602
3 页码
科研成果
:
期刊稿件
›
会议文章
›
同行评审
Dielectric Material
100%
Indium Tin Oxide
100%
Gate Dielectric
100%
Current Ratio
50%
2019
Effects of lightly Doped Drain Structure in n-channel ELA Bridged-Grain Poly-Si TFTs
Guo, J.,
Yu, Z.
, Yan, W., Shi, D., Xue, J. & Xue, W.,
2019
,
在:
Digest of Technical Papers - SID International Symposium.
50
,
S1
,
页码 766-770
5 页码
科研成果
:
期刊稿件
›
会议文章
›
同行评审
Thin-Film Transistor
100%
Poly-Si Grain
100%
Density
50%
Electrical Property
50%
Grain Boundary
50%
The Effects of N
2
O and NH
3
Plasma Treatment on the Device Performance of Solution-Processed Thin Film Transistors
Li, X., Cheng, J. &
Yu, Z.
,
2019
,
在:
Digest of Technical Papers - SID International Symposium.
50
,
S1
,
页码 798
1 页码
科研成果
:
期刊稿件
›
会议文章
›
同行评审
2018
High Performance, Low Temperature Aqueous Route Calcium-Doped Indium Zine Oxide Thin Film Transistors
Li, X., Cheng, J. &
Yu, Z.
,
2018
,
在:
Digest of Technical Papers - SID International Symposium.
49
,
S1
,
页码 615-617
3 页码
科研成果
:
期刊稿件
›
会议文章
›
同行评审
Oxide Compound
100%
Indium
100%
Thin-Film Transistor
100%
Low-Temperature
100%
Thin Films
100%
2006
The effect of NPB morphology on OLEDs optoelectronic characteristics
Jiang, Y.
,
Yu, Z.
& Xue, W.,
2006
,
在:
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering.
6030
, 603007.
科研成果
:
期刊稿件
›
会议文章
›
同行评审
Optoelectronics
100%
Substrate Temperature
100%
Emitting Device
100%
Surface Morphology
100%
Film
50%
1
引用 (Scopus)
2005
Improvement of ohmic contact to P-type GaN using two-step activation processing
Yu, Z. N.
, Xue, W., Seo, J. W. & Yu, S. J.,
2005
,
在:
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering.
5624
,
页码 255-258
4 页码
, 27.
科研成果
:
期刊稿件
›
会议文章
›
同行评审
Annealing Process
100%
Rapid Thermal Annealing
100%
Ohmic Contacts
100%
Annealing
100%
Room Temperature
100%
1998
Influence of deposition parameters on adhesion of diamond-like carbon film prepared by pulse-arc plasma deposition
Yu, Z.
& Yan, Y.,
1998
,
在:
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering.
3557
,
页码 92-95
4 页码
科研成果
:
期刊稿件
›
会议文章
›
同行评审
Deposited Film
100%
Arc Plasma
100%
Deposition Parameter
100%
Diamond-Like Carbon
100%
Film
100%