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Improved performance of pentacene OTFT by incorporating Ti in NdON gate dielectric
Y. X. Ma
, L. N. Liu, W. M. Tang, P. T. Lai
The University of Hong Kong
Hong Kong Polytechnic University
科研成果
:
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会议稿件
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同行评审
2
引用 (Scopus)
综述
指纹
指纹
探究 'Improved performance of pentacene OTFT by incorporating Ti in NdON gate dielectric' 的科研主题。它们共同构成独一无二的指纹。
分类
加权
按字母排序
Material Science
Dielectric Material
100%
Thin-Film Transistor
100%
Carrier Mobility
33%
Electrical Property
16%
Oxide Compound
16%
Wettability
16%