每年的科研成果
每年的科研成果
个人简介
个人简介
马远骁
准聘教授/博导
院长助理
办公电话：010-68914232
电子邮件：yxma@bit.edu.cn
办公地点：4号教学楼255
2022/3-至今，北京理工大学，集成电路与电子学院，准聘教授
2019/12-2021/8，北京理工大学，信息与电子学院，助理教授/特别副研究员
2015/09-2019/08，香港大学，电气电子工程系，博士
2013/09-2015/06, 诺丁汉大学（英国）, 电力电子工程系, 硕士（一等学位）（北航学院公派）
2010.09-2015.06，北京航空航天大学，电子信息工程学院，本科
准聘教授/博导
院长助理
办公电话：010-68914232
电子邮件：yxma@bit.edu.cn
办公地点：4号教学楼255
2022/3-至今，北京理工大学，集成电路与电子学院，准聘教授
2019/12-2021/8，北京理工大学，信息与电子学院，助理教授/特别副研究员
2015/09-2019/08，香港大学，电气电子工程系，博士
2013/09-2015/06, 诺丁汉大学（英国）, 电力电子工程系, 硕士（一等学位）（北航学院公派）
2010.09-2015.06，北京航空航天大学，电子信息工程学院，本科
研究领域和方向
超宽带隙半导体、功率器件与集成应用
忆阻器（memristor）与选通器（selector）
新型探测及传感器
半导体器件工艺，EDA设计
教育背景
2022/3-至今，北京理工大学，集成电路与电子学院，准聘教授
2019/12-2021/8，北京理工大学，信息与电子学院，助理教授/特别副研究员
2015/09-2019/08，香港大学，电气电子工程系，博士
2013/09-2015/06, 诺丁汉大学（英国）, 电力电子工程系, 硕士（一等学位）（北航学院公派）
2010.09-2015.06，北京航空航天大学，电子信息工程学院，本科
工作履历
2022/3-至今，北京理工大学，集成电路与电子学院，准聘教授
2019/12-2021/8，北京理工大学，信息与电子学院，助理教授/特别副研究员
2015/09-2019/08，香港大学，电气电子工程系，博士
2013/09-2015/06, 诺丁汉大学（英国）, 电力电子工程系, 硕士（一等学位）（北航学院公派）
2010.09-2015.06，北京航空航天大学，电子信息工程学院，本科
研究成果
国家级青年人才
“北京市青年人才托举工程”
北京市“千人进千企”特派员
华为“火花奖”
香港大学电子系优秀助教
High Flier Award, The University of Nottingham (UK)
北京航空航天大学优秀毕业生
6年海外经历，具有物理电子学、微电子学、电子通信工程等交叉专业背景；主持并参与海内外多个前沿项目，主要从事微纳器件的构筑与集成研究工作，在包括IEEE EDL, IEEE TED, APL等微电子器件领域的国际权威期刊和会议上发表论文十余篇，发明专利1项。讲授《电路分析基础》本科专业基础课程。
与联合国可持续发展目标相关的专业知识
2015 年，联合国成员国同意 17 项可持续发展目标 (SDG)，以消除贫困、保护地球并确保全人类的繁荣。此人的工作有助于实现下列可持续发展目标：
指纹图谱
深入其中 Yuanxiao Ma 为活跃的研究主题。这些主题标签来自此人的成果。它们共同形成唯一的指纹。
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最近五年的合作关系和顶尖研究领域
最近的国家/地区级外部合作关系。点击圆点，以了解详细信息或
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1-Selector 1-Memristor Configuration with Multifunctional a-IGZO Memristive Devices Fabricated at Room Temperature
Li, J. C., Ma, Y. X., Wu, S. H., Liu, Z. C., Ding, P. F., Dai, D., Ding, Y. T., Zhang, Y. Y., Huang, Y., Lai, P. T. & Wang, Y. L., 10 4月 2024, 在: ACS applied materials & interfaces. 16, 14, 页码 17766-17777 12 页码科研成果: 期刊稿件 › 文章 › 同行评审
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High-quality β-(AlxGa1−x)2O3 thin films on sapphire substrates by face-to-face annealing
Wu, S., Ma, C., Yang, H., Liu, Z., Ma, Y., Yao, R., Zhang, Y., Yang, H., Yi, X., Wang, J. & Wang, Y., 2024, (已接受/待刊) 在: CrystEngComm.科研成果: 期刊稿件 › 文章 › 同行评审
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Erratum: Single β -Ga2O3nanowire based lateral FinFET on Si (Appl. Phys. Lett. (2022) 120 (153501) DOI: 10.1063/5.0086909)
Xu, S., Liu, L., Qu, G., Zhang, X., Jia, C., Wu, S., Ma, Y., Lee, Y. J., Wang, G., Park, J. H., Zhang, Y., Yi, X., Wang, Y. & Li, J., 20 2月 2023, 在: Applied Physics Letters. 122, 8, 089901.科研成果: 期刊稿件 › 评论/辩论
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Low frequency noise in β-Ga2O3 based nanoelectronic devices
Tang, M., Liu, L., Jia, C., Wu, S., Lee, Y. J., Wang, G., Ma, Y., Jeon, D. W., Park, J. H., Zhang, Y., Yi, X., Wang, Y., Wang, J. & Li, J., 3 7月 2023, 在: Applied Physics Letters. 123, 1, 013506.科研成果: 期刊稿件 › 文章 › 同行评审
3 引用 （Scopus） -
NdxHf(1−x)ON as Gate Dielectric for High-Performance Pentacene Organic Thin-Film Transistors
Ma, Y. X., Wang, Q. H., Chen, H., Lai, P. T. & Tang, W. M., 9月 2023, 在: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters. 17, 9, 2300049.科研成果: 期刊稿件 › 文章 › 同行评审
开放访问3 引用 （Scopus）