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Near-interface charged dislocations in AlGaN/GaN bilayer heterostructures
A. Sangghaleh, E. Pan,
X. Han
宇航学院
University of Akron
科研成果
:
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同行评审
7
引用 (Scopus)
综述
指纹
指纹
探究 'Near-interface charged dislocations in AlGaN/GaN bilayer heterostructures' 的科研主题。它们共同构成独一无二的指纹。
分类
加权
按字母排序
Material Science
Heterojunction
100%
Piezoelectricity
50%
Nitride Semiconductor
50%
Transistor
50%
Chemical Engineering
Nitride
100%
Engineering
Nitride Semiconductor
50%