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Low-Threshold pentacene OTFT by using NdTaON gate dielectric and ITO gate electrode
Y. X. Ma
, X. D. Huang, P. T. Lai
*
, W. M. Tang
*
此作品的通讯作者
集成电路与电子学院
The University of Hong Kong
Southeast University, Nanjing
科研成果
:
期刊稿件
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文章
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同行评审
2
引用 (Scopus)
综述
指纹
指纹
探究 'Low-Threshold pentacene OTFT by using NdTaON gate dielectric and ITO gate electrode' 的科研主题。它们共同构成独一无二的指纹。
分类
加权
按字母排序
Material Science
Dielectric Material
100%
Indium Tin Oxide
100%
Carrier Mobility
60%
Oxynitride
40%
Oxide Compound
20%
Grain Boundary
20%
Surface Roughness
20%
Charge Carrier
20%
ITO Glass
20%
Permittivity
20%
Thin-Film Transistor
20%