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Effect of potassium ions on tantalum chemical mechanical polishing in H
2
O
2
-based alkaline slurries
Liang Jiang, Yongyong He,
He Liang
, Yuzhuo Li, Jianbin Luo
Tsinghua University
Southwest Jiaotong University
Clarkson University
科研成果
:
期刊稿件
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文章
›
同行评审
8
引用 (Scopus)
综述
指纹
指纹
探究 'Effect of potassium ions on tantalum chemical mechanical polishing in H
2
O
2
-based alkaline slurries' 的科研主题。它们共同构成独一无二的指纹。
分类
加权
按字母排序
Material Science
Potassium Ion
100%
Hydrogen Peroxide
100%
Tantalum
100%
Chemical Mechanical Planarization
100%
Silicon Dioxide
20%
Density
10%
Potassium
10%
Oxide Film
10%
Chemical Engineering
Hydrogen Peroxide
100%
Zeta Potential
20%