跳到主要导航
跳到搜索
跳到主要内容
北京理工大学 首页
English
中文
首页
师资队伍
研究单位
科研成果
奖项
按专业知识、名称或附属进行搜索
Design and fabrication of a high-density multilayer metal-insulator-metal capacitor based on selective etching
V. F.G. Tseng
*
,
H. Xie
*
此作品的通讯作者
University of Florida
科研成果
:
期刊稿件
›
文章
›
同行评审
5
引用 (Scopus)
综述
指纹
指纹
探究 'Design and fabrication of a high-density multilayer metal-insulator-metal capacitor based on selective etching' 的科研主题。它们共同构成独一无二的指纹。
分类
加权
按字母排序
Material Science
Density
100%
Capacitor
100%
Dielectric Material
40%
Oxide Compound
20%
Finite Element Method
20%
Capacitance
20%
Optical Lithography
20%
Silicon Nitride
20%