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Buffer layer-induced positive magnetoresistance in manganite-based heterojunctions
W. W. Gao, W. M. Lü, A. D. Wei, J. Wang,
J. Shen
, B. G. Shen, J. R. Sun
*
*
此作品的通讯作者
CAS - Institute of Physics
CAS - Technical Institute of Physics and Chemistry
科研成果
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同行评审
4
引用 (Scopus)
综述
指纹
指纹
探究 'Buffer layer-induced positive magnetoresistance in manganite-based heterojunctions' 的科研主题。它们共同构成独一无二的指纹。
分类
加权
按字母排序
Material Science
Buffer Layer
100%
Heterojunction
100%
Magnetoresistance
100%
Current Voltage Characteristics
20%