A Ka-Band Mutual Coupling Resilient Stacked-FET Power Amplifier with 21.2 dBm OP1dB and 27.6% PAE1dB in 45-nm CMOS SOI

Jian Zhang*, Dawei Wang, Wei Zhu, Ming Zhai, Xiangjie Yi, Yan Wang

*此作品的通讯作者

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3 引用 （Scopus）

指纹

探究 'A Ka-Band Mutual Coupling Resilient Stacked-FET Power Amplifier with 21.2 dBm OP1dB and 27.6% PAE1dB in 45-nm CMOS SOI' 的科研主题。它们共同构成独一无二的指纹。

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