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A 110-160GHz Wideband Power Amplifier in 0.13μm SiGe BiCMOS with 14.12dBm P
sat
and 9.26% PAE
Liang Zhao, Yao Li,
Weihua Yu
*
, Xin Lv
*
此作品的通讯作者
集成电路与电子学院
Beijing Institute of Technology
科研成果
:
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会议稿件
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同行评审
1
引用 (Scopus)
综述
指纹
指纹
探究 'A 110-160GHz Wideband Power Amplifier in 0.13μm SiGe BiCMOS with 14.12dBm P
sat
and 9.26% PAE' 的科研主题。它们共同构成独一无二的指纹。
分类
加权
按字母排序
Engineering
Power Amplifier
100%
Power Added Efficiency
100%
Output Power
75%
Operating Frequency
25%
Passive Component
25%
Supply Voltage
25%
Matching Network
25%