跳到主要导航
跳到搜索
跳到主要内容
北京理工大学 首页
English
中文
首页
师资队伍
研究单位
科研成果
奖项
按专业知识、名称或附属进行搜索
A 110-160GHz Wideband Power Amplifier in 0.13μm SiGe BiCMOS with 14.12dBm P
sat
and 9.26% PAE
Liang Zhao, Yao Li,
Weihua Yu
*
, Xin Lv
*
此作品的通讯作者
集成电路与电子学院
Beijing Institute of Technology
科研成果
:
书/报告/会议事项章节
›
会议稿件
›
同行评审
1
引用 (Scopus)
综述
指纹
指纹
探究 'A 110-160GHz Wideband Power Amplifier in 0.13μm SiGe BiCMOS with 14.12dBm P
sat
and 9.26% PAE' 的科研主题。它们共同构成独一无二的指纹。
分类
加权
按字母排序
Engineering
Matching Network
25%
Operating Frequency
25%
Output Power
75%
Passive Component
25%
Power Added Efficiency
100%
Power Amplifier
100%
Supply Voltage
25%