职称： 教授、博士生导师；国家重点研发计划首席青年科学家；国家级高层次青年人才；特立青年学者
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学系： 凝聚态物理系
E-mail： sunlinfeng@bit.edu.cn
通讯地址： 北京理工大学良乡校区南区理学楼

主要从事面向存算一体器件的量子功能材料（量子二维材料、量子拓扑材料等）物性调控及其在类脑计算器件上的应用，主要包括：
（1）基于量子功能材料/异质结的器件设计与制备；
（2）基于各类存算一体器件的设计与机理研究；
（3）人工智能神经拟态芯片物理原型设计与开发；
（4）基于人工神经网络的机器学习及应用。

2011–2015 新加坡南洋理工大学 数理学院 博士
(期间获国家优秀留学生奖学金，以及“全球华人物理和天文学会-美国物理学会杰出会议海报奖”一等奖)
2008–2010 浙江大学理学院 硕士
(期间获国际顶尖光刻机制造商ASML奖学金)

2021–至今 北京理工大学 教授
(期间获2021中国新锐科技人物)
2018–2021 韩国成均馆大学 研究教授
(期间获韩国“高丽学者”)
2017–2018 韩国成均馆大学 博士后
2016–2017 新加坡科技与设计大学 博士后

长期从事面向存算一体器件的量子功能材料物态调控、器件物理以及在类脑计算器件上的应用, 并取得一系列重要的创新性研究成果。例如：(1)以量子半导体材料为基础的神经突触计算在人脑声音定位中的应用; (2)基于量子功能材料异质结的大容量信息数据存储阵列的设计与开发; (3)基于量子功能材料缺陷工程的传感器内储备池计算用于智能语言学习; (4)基于量子材料的存算一体器件在处理复杂优化组合问题上的优势等。到目前为止，已在国际高水平期刊上发表SCI论文50余篇,其中第一作者/通讯作者代表作包括: Science Advances，Nature Communication，Physics Review Letters，Nano Letters，Advanced Materials，Advanced Functional Materials，Nano Energy等，并受邀为Advanced Intelligent System, Nanotechnology, Chips, 物理学报等国内外知名期刊撰写综述。论文引用2800余次，专利授权4项；并多次在国内外重要学术会议上做大会报告。
代表性论文发表情况:
(1) Xi Chen, Dongliang Yang, Geunwoo Hwang, Yujiao Dong, Wenqi Zhang, Huihan Li, Ruiwen Shao, Yugui Yao, Linfeng Sun*, Zhongrui Wang*, Heejun Yang*, Oscillatory Ising Machine using Two-Dimensional Memristors, Advanced Materials, under review (Co-Corresponding Author) (Invited Paper)
(2) Eunah Kim, Geunwoo Hwang, Dohyun Kim, Dongyeun Won, Yanggeun Joo, Shoujun Zheng, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Pilkyung Moon, Dong-Wook Kim, Linfeng Sun*, Heejun Yang*, Orbital gating driven by giant Stark effect in tunneling phototransistors, Advanced Materials, 34(6), 2022, 2106625. (Co-Corresponding Author)
该工作首次将低维材料中的巨Stark效应用于制备高性能隧穿光晶体管。
(3) Bai Sun, Guangdong Zhou, Linfeng Sun, Hongbin Zhao, Yuanzheng Chen, Feng Yang, Yong Zhao and Qunliang Song*, ABO3 multiferroic perovskite materials for memristive memory and neuromorphic computing, Nanoscale Horiz, 2021, 6, 939-970. (Co-first Author)
(4) Linfeng Sun, Zhongrui Wang, Jinbao Jiang, Yeji Kim, Bomin Joo, Shoujun Zheng, Seungyeon Lee, Woo Jong Yu, Baisun Kong, Heejun Yang*, In-sensor reservoir computing for language learning via two dimensional memristors, Science Advances, 7(20), 2021, eabg1455.
该工作首次将感存算一体技术用于储备池计算体系，并被腾讯、网易等主流媒体报道。
(5) Huihan Li, Shaocong Wang, Xumeng Zhang, Wei Wang, Rui Yang, Zhong Sun, Wanxiang Feng, Peng Lin, Zhongrui Wang*, Linfeng Sun*, Yugui Yao, Memristive crossbar arrays for storage and computing applications, Advanced Intelligent Systems, 2021, 2100017. (Invited Paper). Inside Cover. (Co-Corresponding Author)
(6) Guangdong Zhou, Bai Sun, Xiaofang Hu, Linfeng Sun, Zhou Zou, Bo Xiao, Wuke Qiu, Bo Wu, Jie Li, Juanjuan Han, Liping Liao, Cunyun Xu, Gang Xiao, Lihua Xiao, Jianbo Cheng, Shaohui Zheng, Lidan Wang, Qunliang Song, Shukai Duan, Negative photoconductance effect: An extension function of the TiOx-based memristor, Advanced Science, 8 (13), 2021, 2003765. (Co-first Author)
(7) Linfeng Sun, Wei Wang, Heejun Yang*, Recent progress in synaptic devices based on 2D materials, Advanced Intelligent Systems, 2(5), 2020, 1900167. (Invited Paper).
(8) Linfeng Sun, Genuwoo Hwang, Wooseon Choi, Gyeongtak Han, Yishu Zhang, Jinbao Jiang, Shoujun Zheng, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Mali Zhao, Rong Zhao, Youngmin Kim*, Heejun Yang*, Ultralow switching voltage slope based on two-dimensional materials for integrated memory and neuromorphic applications, Nano Energy, 69, 2020, 104472.
(9) Linfeng Sun#, Yishu Zhang#, Gyeongtak Han, Geunwoo Hwang, Jinbao Jiang, Bomin Joo, Kenji Watanable, Takashi Taniguchi, Young Min Kim, Woo Jong Yu, Bai Sun Long, Rong Zhao*, Heejun Yang*, Self-selective van der Waals hetero-structures for large scale memory array, Nature Communications, 2019, 10, 3161.
该工作入选2022类脑计算与工程技术路线图。
(10) Linfeng Sun, Hua Yu, Dong Wang, Jinbao Jiang, Dohyun Kim, Hyun Kim, Shoujun Zheng, Mali Zhao, Qi Ge, Heejun Yang*, Selective growth of monolayer semiconductors for diverse synaptic junctions, 2D Materials, 6 (2019) 015029.
(11) Canliang Zhou#, Linfeng Sun#, Fengquan Zhang, Chenjie Gu*, Shuwen Zeng*, Taojiang Jiang, Xiang Shen, Diing Shenp Ang, Jun Zhou*, Electrical tuning of the SERS enhancement by precise defect density control, ACS Applied Materials & Interfaces, 11(37) 2019, 34091.
(12) Linfeng Sun#, Yishu Zhang#, Geunwoo hwang, Jinbao Jiang, Dohyun Kim, Yonas Assefa Eshete, Rong Zhao*, Heejun Yang*, Synaptic computation enabled by Joule heating of single-layered semiconductors for sound localization, Nano Letters, 2018, 18 (5): 3229-3234.
该工作首次在基于低维材料体系的单个忆阻器件中实现了突触计算，并用于声音定位，功耗可低至fJ。
(13) Linfeng Sun#, Wei Sun Leong#, Shize Yang, Matthew F. Chishol. Shi Jun LiANG, Lay Kee Ang, Yongjian Tang, Yunwei Mao, Jing Kong*, Huiying Yang*, Concurrent synthesis of high-performance monolayer transition metal disulfides, Advanced Functional Materials, 2017, 27(15): 1605896.
该工作与美国麻省理工学院Kong Jing教授课题组合作，首次提出利用垂直衬底间的涡流效应同时生长多种低维材料的新方法。
(14) Linfeng Sun, Hailong Hu, Da Zhan*, Jiaxu Yan, Lei Liu, Poosie Lee, Zexiang Shen*, Plasma modified MoS2 nanoflakes for surface enhanced Raman scattering, Small, 10 (2014), 6, 1090.
(15) Linfeng Sun#, Jiaxu Yan#, Da Zhan*, Lei Liu, Hailong Hu, Hong Li, Benkang Tay, Jer Lai Kuo, Chung Che Huang, Daniel W. Hewak, Pooi See Lee, Zexiang Shen*, Spin-orbit splitting in single layer MoS2 revealed by triply resonant Raman scattering, Physical Review Letter, 2013, 111(12): 126801.
该工作首次提出利用三重共振拉曼光谱研究低维材料体系中的自旋轨道耦合效应，被Nature Nanotechnology，Chemical Society Review等多家期刊作为经典范例报道。、
代表性会议
(1)第二届柔性印刷光电材料与器件国际会议，中国长沙，2022年7月，受邀报告；
(2)2022国际前沿材料大会（线上），2022年5月，受邀报告；
(3)第四十三届光子与电磁学研究国际研讨会（线上），2022年4月，受邀报告；
(4)第十三届国际光子与光电子学会议（线上），2021年11月，受邀报告；
(5)2021年IEEE第六届全球光电大会，中国深圳，2021年8月，受邀报告；
(6)第二届世界光子大会-光电子材料与器件发展论坛，2021年7月，受邀报告；
(7)第二十三届全国半导体物理学术会议，中国西安，2021年7月，受邀报告；
(8)第一届应用物理论坛，江苏溧阳，2021年4月，受邀报告；
(9)第六届绿色环境电子材料与纳米技术国际会议，韩国，2020年12月；
(10)国际技术显示大会，中国武汉，2020年10月，受邀报告。
学术公共服务
(1) 编委, “Nano-Micro Letters”, 影响因子: 23.655；
(2) 青年编委, “SmartMat”以及“The Innovation”；
(3) 客座编辑, Micromachines. 影响因子: 3.523, Frontier in Neuroscience. 影响因子: 5.152。
国内外顶级期刊评审人:
Science Advance, Advanced Materials, ACS Nano, Nano Letters, Nano-Micro Letters, Advanced Functional Materials, Small, Nanoscale, Advanced Optical Materials, Advanced Intelligent System, Nanotechnology等。