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Phase-controlled epitaxial growth of MoTe
2
: Approaching high-quality 2D materials for electronic devices with low contact resistance
Li Tao
*
, Yaoqiang Zhou, Jian Bin Xu
*
*
此作品的通讯作者
物理学院
Chinese University of Hong Kong
科研成果
:
期刊稿件
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文章
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同行评审
9
引用 (Scopus)
综述
指纹
指纹
探究 'Phase-controlled epitaxial growth of MoTe
2
: Approaching high-quality 2D materials for electronic devices with low contact resistance' 的科研主题。它们共同构成独一无二的指纹。
分类
加权
按字母排序
Material Science
Silicon
100%
Two-Dimensional Material
100%
Contact Resistance
100%
Epitaxy
100%
Single Crystal
50%
Crystalline Material
50%
Transistor
50%