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Nanojoining and tailoring of current-voltage characteristics of metal-P type semiconductor nanowire heterojunction by femtosecond laser irradiation
M. Xiao
*
, L. Lin, S. Xing, J. Feng, Z. Hui,
S. Wang
, W. W. Duley, Y. N. Zhou
*
此作品的通讯作者
机械与车辆学院
University of Waterloo
Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology (Empa)
Tsinghua University
Harbin Institute of Technology
China University of Geosciences, Beijing
科研成果
:
期刊稿件
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文章
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同行评审
17
引用 (Scopus)
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综述
指纹
指纹
探究 'Nanojoining and tailoring of current-voltage characteristics of metal-P type semiconductor nanowire heterojunction by femtosecond laser irradiation' 的科研主题。它们共同构成独一无二的指纹。
分类
加权
按字母排序
Material Science
Heterojunction
100%
Nanowire
100%
Current Voltage Characteristics
100%
Schottky Barrier
37%
Crystalline Material
12%
Electronic Circuit
12%
Laser Pulse
12%