Molecular beam epitaxy growth of high quality p-doped SnS van der Waals epitaxy on a graphene buffer layer

W. Wang, K. K. Leung, W. K. Fong, S. F. Wang, Y. Y. Hui, S. P. Lau, Z. Chen, L. J. Shi, C. B. Cao, C. Surya*

*此作品的通讯作者

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指纹

探究 'Molecular beam epitaxy growth of high quality p-doped SnS van der Waals epitaxy on a graphene buffer layer' 的科研主题。它们共同构成独一无二的指纹。

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