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Electrical and optical characteristics of high power vertical GaN light-emitting diodes on Si substrates
Ting Wang
*
, Zhanzhong Cui,
Lixin Xu
*
此作品的通讯作者
机电学院
Beijing Institute of Technology
科研成果
:
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同行评审
综述
指纹
指纹
探究 'Electrical and optical characteristics of high power vertical GaN light-emitting diodes on Si substrates' 的科研主题。它们共同构成独一无二的指纹。
分类
加权
按字母排序
Engineering
Light-Emitting Diode
100%
Si Substrate
100%
Chemical Vapor Deposition
10%
Vapor Deposition
10%
Energy Density
10%
Wafer Bonding
10%
Sapphire Substrate
10%
Light Output Power
10%
Forward Voltage
10%
Excimer Laser
10%
Current-Voltage Characteristic
10%
Material Science
Light-Emitting Diode
100%
Sapphire
50%
Energy Density
10%
Chemical Vapor Deposition
10%
Current-Voltage Characteristic
10%