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Electric field dependence of the spin relaxation anisotropy in (111) GaAs/AlGaAs quantum wells
A. Balocchi, T. Amand,
G. Wang
, B. L. Liu, P. Renucci, Q. H. Duong, X. Marie
*
*
此作品的通讯作者
Université de Toulouse
CAS - Institute of Physics
科研成果
:
期刊稿件
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文章
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同行评审
14
引用 (Scopus)
综述
指纹
指纹
探究 'Electric field dependence of the spin relaxation anisotropy in (111) GaAs/AlGaAs quantum wells' 的科研主题。它们共同构成独一无二的指纹。
分类
加权
按字母排序
Engineering
Aluminium Gallium Arsenide
100%
Applied Electric Field
20%
Collision Process
20%
Conduction Band
40%
Density Matrix
20%
Electric Field
100%
Gallium Arsenide
100%
Hamiltonian
20%
Quantum Well
100%
Relaxation Time
20%
Spin Density
20%
Strong Electric Field
20%
Physics
Anisotropy
100%
Conduction Band
40%
Conduction Electron
20%
Electric Fields
100%
Electron Spin
20%
Quantum Wells
100%
Relaxation Time
20%
Spin Relaxation
100%
Zinc Sulfide
20%
Chemistry
Density Matrix
20%