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Design of a Ka-band GaN HEMT power amplifier based on simulation
Xiaobin Luo, Chao Yue, Lijie Zhou,
Weihua Yu
, Xin Lv
集成电路与电子学院
Beijing Institute of Technology
科研成果
:
会议稿件
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论文
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同行评审
4
引用 (Scopus)
综述
指纹
指纹
探究 'Design of a Ka-band GaN HEMT power amplifier based on simulation' 的科研主题。它们共同构成独一无二的指纹。
分类
加权
按字母排序
Engineering
Amplifier Circuit
40%
Channel Power
20%
Ka-Band
100%
Output Power
20%
Physical Structure
20%
Power Amplifier
100%
Power Gain
20%
Scattering Parameters
20%
Scheme Design
20%