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Contact properties of field-effect transistors based on indium arsenide nanowires thinner than 16nm
Tuanwei Shi, Mengqi Fu, Dong Pan,
Yao Guo
, Jianhua Zhao, Qing Chen
Peking University
CAS - Institute of Semiconductors
科研成果
:
期刊稿件
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文章
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同行评审
18
引用 (Scopus)
综述
指纹
指纹
探究 'Contact properties of field-effect transistors based on indium arsenide nanowires thinner than 16nm' 的科研主题。它们共同构成独一无二的指纹。
分类
加权
按字母排序
Material Science
Chromium
50%
Contact Resistance
50%
Field Effect Transistor
100%
Indium
100%
Nanowire
100%
Engineering
Channel Length
25%
Diffusive Regime
25%
Field-Effect Transistor
100%
Metal Contact
50%
Nanowires
100%
Ohmic Contacts
25%
Chemical Engineering
Indium Arsenide
100%