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C波段高效率GaN HEMT功率放大器
Jiaqing Sun
*
, Weibin Zheng,
Feng Qian
*
此作品的通讯作者
Nanjing Electronic Devices Institute
Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory
科研成果
:
期刊稿件
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同行评审
综述
指纹
指纹
探究 'C波段高效率GaN HEMT功率放大器' 的科研主题。它们共同构成独一无二的指纹。
分类
加权
按字母排序
Engineering
C-Band
100%
Drain Voltage
20%
Duty Cycle
20%
Harmonics
60%
Input Pulse
20%
Monolithic Microwave Integrated Circuits
100%
Nitride
20%
Output Power
20%
Output Stage
40%
Power Added Efficiency
20%
Power Amplifier
100%
Pulse Duration
20%
Material Science
Device Efficiency
100%
Gallium Nitride
100%