跳到主要导航
跳到搜索
跳到主要内容
北京理工大学 首页
English
中文
首页
师资队伍
研究单位
科研成果
奖项
按专业知识、名称或附属进行搜索
Ab Initio Study of Ferromagnetism Induced by Electronic Hole Localization in Al-Doped α-SiO
2
Fei Mao
*
, Cong Zhang Gao,
Feng Wang
, Chao Zhang, Feng Shou Zhang
*
此作品的通讯作者
物理学院
University of South China
IAPCM
Anhui University of Science and Technology
College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University
科研成果
:
期刊稿件
›
文章
›
同行评审
3
引用 (Scopus)
综述
指纹
指纹
探究 'Ab Initio Study of Ferromagnetism Induced by Electronic Hole Localization in Al-Doped α-SiO
2
' 的科研主题。它们共同构成独一无二的指纹。
分类
加权
按字母排序
Material Science
Ab Initio Calculation
50%
Aluminium Ion
50%
Crystal Structure
50%
Density
50%
Doping (Additives)
50%
Electronic Structure
50%
Ferromagnetism
100%