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A 77-100 GHz power amplifier using 0.1-μm GaAs PHEMT technology
Qin Ge
*
, Wei Liu, Bo Xu,
Feng Qian
, Changfei Yao
*
此作品的通讯作者
Nanjing Electronic Devices Institute
Air Force Military Representative Office in Jiangsu Province
科研成果
:
期刊稿件
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文章
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同行评审
6
引用 (Scopus)
综述
指纹
指纹
探究 'A 77-100 GHz power amplifier using 0.1-μm GaAs PHEMT technology' 的科研主题。它们共同构成独一无二的指纹。
分类
加权
按字母排序
Engineering
Power Amplifier
100%
Gallium Arsenide
100%
Monolithic Microwave Integrated Circuits
100%
Output Power
66%
Power Density
66%
Amplifier
33%
W-Band
33%
Flatness
33%
Signal Gain
33%
Power Added Efficiency
33%
Earth and Planetary Sciences
Power Amplifier
100%
Broadband
50%
Flatness
50%