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马 远骁
集成电路与电子学院
h-index
180
引用
8
H-指数
根据储存在 Pure 的刊物以及来自 Scopus 的引用文献数量计算
2016
2024
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指纹图谱
深入其中 Yuanxiao Ma 为活跃的研究主题。这些主题标签来自此人的成果。它们共同形成唯一的指纹。
分类
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按字母排序
Material Science
Amorphous Material
12%
Annealing
11%
Carrier Mobility
58%
Dielectric Material
100%
Electrical Resistivity
7%
Electronic Circuit
6%
Field Effect Transistor
6%
Film
7%
Gallium
6%
Graphene
6%
Heterojunction
7%
Indium
7%
Indium Tin Oxide
8%
Metal Oxide
6%
Nanoelectronics
6%
Nanowire
6%
Oxide Compound
28%
Oxide Semiconductor
7%
Oxygen Vacancy
7%
Oxynitride
7%
Sapphire
6%
Semiconductor Structure
6%
Surface Roughness
9%
Thin Films
6%
Thin-Film Transistor
77%
Transistor
6%
Wettability
5%
X-Ray Photoelectron Spectroscopy
5%
Zinc Oxide
6%
Engineering
Field-Effect Transistor
12%
Gate Dielectric
6%
Gate Electrode
6%
Sapphire Substrate
6%
Thin Films
6%
Three Dimensional Integrated Circuits
6%
