跳到主要导航
跳到搜索
跳到主要内容
北京理工大学 首页
English
中文
首页
师资队伍
研究单位
科研成果
奖项
按专业知识、名称或附属进行搜索
Vertical Nonvolatile Schottky-Barrier-Field-Effect Transistor with Self-Gating Semimetal Contact
Yaoqiang Zhou, Lei Tong, Zefeng Chen,
Li Tao
, Hao Li, Yue Pang, Jian Bin Xu
*
*
此作品的通讯作者
物理学院
Chinese University of Hong Kong
Soochow University
科研成果
:
期刊稿件
›
文章
›
同行评审
10
引用 (Scopus)
综述
指纹
指纹
探究 'Vertical Nonvolatile Schottky-Barrier-Field-Effect Transistor with Self-Gating Semimetal Contact' 的科研主题。它们共同构成独一无二的指纹。
分类
加权
按字母排序
Material Science
Semimetals
100%
Field Effect Transistor
100%
Schottky Barrier
100%
Graphene
16%
Electronic Circuit
16%
Tungsten
16%
Charge Trapping
16%