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Study on epitaxial lift-off and Van der Waals bonding of low-temperature grown GaAs
Tian Lan
*
, Guoqiang Ni
*
此作品的通讯作者
信息与电子学院
Beijing Institute of Technology
科研成果
:
期刊稿件
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同行评审
综述
指纹
指纹
探究 'Study on epitaxial lift-off and Van der Waals bonding of low-temperature grown GaAs' 的科研主题。它们共同构成独一无二的指纹。
分类
加权
按字母排序
Engineering
Dissolved Gas
16%
Electric Lines
16%
Experimental Technique
16%
Gallium Arsenide
100%
Low-Temperature
100%
Rise Time
16%
Material Science
Epilayers
33%
Gallium Arsenide
100%
Molecular Beam Epitaxy
16%
Physics
Dissolved Gas
100%