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Design of Double Delta-Doped Al
0.22
Ga
0.78
As/In
0.22
Ga
0.78
A s Pseudomorphic HEMTs
Zhiming Wang
*
, Jinchao Mou,
Weihua Yu
, Xin Lv
*
此作品的通讯作者
集成电路与电子学院
Beijing Institute of Technology
科研成果
:
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同行评审
8
引用 (Scopus)
综述
指纹
指纹
探究 'Design of Double Delta-Doped Al
0.22
Ga
0.78
As/In
0.22
Ga
0.78
A s Pseudomorphic HEMTs' 的科研主题。它们共同构成独一无二的指纹。
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Engineering
Saturation Current Density
100%